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SOI制造技術

TM-SOI
  硅基科技公司采用具有自主知識產權的TM-SOI薄膜轉移技術,利用低溫微波氛圍將注入的氫離子激活,實現行業較先進的“硅片鍵合+薄膜轉移”的裂片工藝,制造高質量、膜厚均勻的SOI晶圓片。
  薄膜產品包括薄膜SOI(device layer>100nm)和超薄膜SOI(device layer <100nm)。

 

TM+EPI SOI
  利用公司自有的TM-SOI薄膜轉移技術與外延技術相結合,實現TM-SOI硅片的器件層增厚,制造高品質的外延SOI晶圓片。同時,外延技術可以與TM-SOI技術結合,制備用于65nm-14nm節點采用的sSOI、Ge等相關的先進材料。

 

Bonded SOI
  在傳統的鍵合SOI工藝基礎上,采用高精度加工設備,實現更好的器件層厚度精度,從而改善片內均勻性和提高產品性能。

硅基科技與客戶合作加工圖形SOI,由客戶提供有圖形的襯底片,進行后續的鍵合、頂層磨拋工藝,形成完整的結構。

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