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研發中心

研發歷史
 
      公司在美國、臺灣設有研發基地,充分利用中央大學和臺灣工研院的人力、智力及設備資源進行技術創新及智慧產權的開發,以及美國硅谷的信息及完善的IC產業基礎進行正式投產前生產流程開發論證;2008年末,將8英寸SOI晶圓片生產制程完整地應用到公司生產線,進行新技術可行性試驗和開發,并對該技術的工藝流程及產業化制程進行了論證和完善,為該技術在沈陽實施產業化打下了良好基礎。2014年底,公司已經完成SOI晶圓片、外延片各系列產品的量產工作。
 
     
研發背景
 
      公司主要技術來源為中國海外留學博士,熟悉和掌握SOI、sSOI晶圓片制造工藝和技術,其以自己獨特的     SOI晶圓片制造專利技術,在沈陽建立SOI晶圓片生產線,填補國家在半導體材料方面的空白。
 
     
知識產權
 

      TM-SOI技術是全新的SOI晶圓片制造方法,可以實現第三代 “硅片鍵合和薄膜轉移” 薄膜SOI晶圓片加工。

      公司擁有TM-SOI自主知識產權和全套SOI晶圓片加工專利技術。

 
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